مشخصات فناوری TSM500P02DCQ RFG
مشخصات فنی Taiwan Semiconductor Corporation - TSM500P02DCQ RFG ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Taiwan Semiconductor Corporation - TSM500P02DCQ RFG
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Taiwan Semiconductor | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 800mV @ 250µA | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | 6-TDFN (2x2) | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 50mOhm @ 3A, 4.5V | |
| قدرت - حداکثر | 620mW | |
| بسته بندی / مورد | 6-VDFN Exposed Pad | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -50°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1230pF @ 10V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 9.6nC @ 4.5V | |
| FET ویژگی | - | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 20V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 4.7A (Tc) | |
| پیکر بندی | 2 P-Channel (Dual) | |
| شماره محصول پایه | TSM500 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Taiwan Semiconductor Corporation TSM500P02DCQ RFG دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | TSM500P02DCQ RFG | TSM500P02DCQ | TSM4YL 1k0 10 | TSM500P02CX |
| سازنده | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 800mV @ 250µA | 0.8V @ 250µA | - | 0.8V @ 250µA |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1230pF @ 10V | 1230pF @ 10V | - | 850 pF @ 10 V |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 20V | 20V | - | 20 V |
| پیکر بندی | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel | - | - |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 50mOhm @ 3A, 4.5V | 50mOhm @ 3A, 4.5V | - | 50mOhm @ 3A, 4.5V |
| سلسله | - | - | - | - |
| شماره محصول پایه | TSM500 | TSM500 | - | TSM500 |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | - | Surface Mount |
| FET ویژگی | - | Standard | - | - |
| بسته بندی / مورد | 6-VDFN Exposed Pad | 6-VDFN Exposed Pad | - | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| قدرت - حداکثر | 620mW | 620mW (Tc) | - | - |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - | Tape & Reel (TR) |
| کننده بسته بندی دستگاه | 6-TDFN (2x2) | 6-TDFN (2x2) | - | SOT-23 |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 4.7A (Tc) | 4.7A (Tc) | - | 4.7A (Tc) |
| دمای عملیاتی | -50°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | 150°C (TJ) |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 9.6nC @ 4.5V | 13nC @ 4.5V | - | 9.6 nC @ 4.5 V |
بارگیری داده های TSM500P02DCQ RFG PDF و مستندات Taiwan Semiconductor Corporation را برای TSM500P02DCQ RFG - Taiwan Semiconductor Corporation بارگیری کنید.
TSM4YL 1k0 10TSM500P02CXTaiwan Semiconductor Corporation-20V, -4.7A, SINGLE P-CHANNEL POTSM506TOYODAIGBT Module
TSM500N03CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationMOSFET N-CH 30V 12.5A TO252
TSM4YJ202KR05Vishay SferniceSFERNICE POTENTIOMETERS & TRIMME
TSM53YJ502TRElectro-Films (EFI) / VishayTSM502ETOYODAIGBT ModuleTSM53YJ5KElectro-Films (EFI) / VishayTSM500P02DCQTaiwan Semiconductor Corporation-20V, -4.7A, DUAL P-CHANNEL POWE
TSM4YL103KR05Vishay SferniceSFERNICE POTENTIOMETERS & TRIMMETSM53YJ502KRElectro-Films (EFI) / Vishay
TSM500P02CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationMOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT23
TSM4YJ103KR05Vishay SferniceTRIMMER 10K OHM 0.25W J LEAD TOPTSM502LETOYODAIGBT ModuleTSM504TOYODAIGBT ModuleTSM53YJ502Electro-Films (EFI) / VishayTSM505TOYODAIGBT ModuleTSM4YJ104KR05Vishay| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.